Aktivierungsenergien für die Diffusion von Defekten in Silicium: die Rolle des Austauschkorrelationsfunktionals

Mit DFT‐Rechnungen wurden die Aktivierungsenergien Ea für die Diffusion von Defekten in Si (blau im Bild) ermittelt (von links nach rechts: Diffusion von Oi0 (rot)). Die mit vier Austauschkorrelationsfunktionalen Exc berechneten Ea‐Werte wurden mit experimentellen Daten verglichen. Die Ea‐Werte der...

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Published in:Angewandte Chemie 2011-10, Vol.123 (43), p.10403-10407
Main Authors: Estreicher, Stefan K., Backlund, Daniel J., Carbogno, Christian, Scheffler, Matthias
Format: Article
Language:ger ; eng
Subjects:
Austauschkorrelationsfunktional
Chemistry
Dichtefunktionalrechnungen
Diffusion von Defekten
Halbleiter
Silicium
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Description
Summary:Mit DFT‐Rechnungen wurden die Aktivierungsenergien Ea für die Diffusion von Defekten in Si (blau im Bild) ermittelt (von links nach rechts: Diffusion von Oi0 (rot)). Die mit vier Austauschkorrelationsfunktionalen Exc berechneten Ea‐Werte wurden mit experimentellen Daten verglichen. Die Ea‐Werte der „atomähnlichen“ Defekte auf Zwischengitterplätzen sind meist unabhängig von Exc , im Unterschied zu stark gebundenen Verunreinigungen. Die besten Werte liefert das RPBE‐Funktional.
ISSN:0044-8249
1521-3757
DOI:10.1002/ange.201100733