Hochgespannte Heterocyclen, gebildet aus Bor‐Bor‐Mehrfachbindungen und höheren Homologen der Chalcogene

Die Reaktionen eines Diborens mit elementaren Selen oder Tellur führen zur Bildung eines Diboraselenirans bzw. eines Diboratellurirans. Diese Reaktionen erinnern an die Bindung von niedervalentem Sauerstoff und Stickstoff bei der Bildung von Oxiranen und Aziridinen. Eine solche Reaktivität wurde jed...

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Published in:Angewandte Chemie 2016-04, Vol.128 (18), p.5697-5700
Main Authors: Braunschweig, Holger, Constantinidis, Philipp, Dellermann, Theresa, Ewing, William C., Fischer, Ingo, Hess, Merlin, Knight, Fergus R., Rempel, Anna, Schneider, Christoph, Ullrich, Stefan, Vargas, Alfredo, Woollins, J. Derek
Format: Article
Language:English
Subjects:
Bor
Heterocyclen
Mehrfachbindungen
Selen
Tellur
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Description
Summary:Die Reaktionen eines Diborens mit elementaren Selen oder Tellur führen zur Bildung eines Diboraselenirans bzw. eines Diboratellurirans. Diese Reaktionen erinnern an die Bindung von niedervalentem Sauerstoff und Stickstoff bei der Bildung von Oxiranen und Aziridinen. Eine solche Reaktivität wurde jedoch zwischen Alkenen und den höheren Homologen der Chalcogene bisher nicht beobachtet. Während die Elektronegativität von Kohlenstoff zu groß ist, um Elemente mit niedriger Elektronegativität zu reduzieren, ermöglicht das hohe Reduktionspotential der B‐B‐Doppelbindung eine Reaktion mit Se0 und Te0. Die Fähigkeit einer Bor‐Bor Mehrfachbindung, Elektronendichte zu donieren, wird durch Reaktionen verdeutlicht, in denen diese als Nukleophil an einem der beiden Tellurzentren von Diarylditelluriden angreift. Die entstehenden salzartigen Verbindungen bestehen aus einem Diboratellurirenium‐Kation und einem Aryltellurid‐Anion. Schwere Heterocyclen: Die Reaktionen von Diborenen mit Se und Te resultieren in der Bildung von Diboraseleniden und Diboratelluriranen, während die Reaktionen von Diborinen mit Diarylditelluriden zu Diboratellurirenium‐Kationen und Aryltellurid‐Anionen führen. Diese Reaktionen sind einzigartig für Bor‐Bor‐Mehrfachbindungen, bedingt durch ihr hohes Reduktionspotential und die relativ geringe Elektronegativität von Bor.
ISSN:0044-8249
1521-3757
DOI:10.1002/ange.201601691